推動(dòng)Sic產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，BOTH助力國內(nèi)大規(guī)模Sic半導(dǎo)體生產(chǎn)基地達(dá)成里程碑

近年來，隨著全球能源轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展需求的不斷提升，第三代化合物半導(dǎo)體受到市場高度關(guān)注，特別是隨著Sic(碳化硅)材料在新能源汽車、風(fēng)光儲、電網(wǎng)、智能駕駛及5G等領(lǐng)域應(yīng)用需求爆發(fā)，產(chǎn)業(yè)進(jìn)入快速擴(kuò)張期。今年，在長江經(jīng)濟(jì)帶上的核心城市，BOTH為多個(gè)Sic(碳化硅)領(lǐng)域重大項(xiàng)目提供高等級潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境的系統(tǒng)集成建設(shè)服務(wù)。

近期，在中部大省， 我們推動(dòng)一座大規(guī)模第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目達(dá)成首批工藝設(shè)備搬入的重要里程碑節(jié)點(diǎn)，確保整個(gè)項(xiàng)目向量產(chǎn)通線的最終目標(biāo)順利推進(jìn)，為基地構(gòu)建全鏈條生產(chǎn)能力、加速通線量產(chǎn)奠定堅(jiān)實(shí)根基。

據(jù)悉，該項(xiàng)目在良率提升和產(chǎn)能爬坡后，或?qū)⒊蔀閲鴥?nèi)最大的Sic(碳化硅)功率半導(dǎo)體制造基地，引領(lǐng)國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)邁入規(guī)?；⑴炕?yīng)的新階段，推動(dòng)碳化硅技術(shù)在更多領(lǐng)域的應(yīng)用和普及。

此前，在成渝地區(qū)，BOTH通過為客戶高效交付最佳的潔凈生產(chǎn)環(huán)境，推動(dòng)了一座300億元的Sic(碳化硅)項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)襯底工廠提前投產(chǎn)。我們的精益交付，正助力客戶產(chǎn)品加速上市。

據(jù)公開資料顯示，Sic(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，在禁帶寬度、擊穿電場、熱導(dǎo)率、電子飽和速率等指標(biāo)具備顯著優(yōu)勢，可滿足高功率、高電壓、高頻率的需求，在新能源汽車、5G基站、光伏儲能等應(yīng)用場景中的需求迅速擴(kuò)增。據(jù)機(jī)構(gòu)預(yù)測，到2030年，國內(nèi)碳化硅功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將超過210億元。市場的急速擴(kuò)容催生更龐大的產(chǎn)能需求，當(dāng)下，眾多企業(yè)正加快增資擴(kuò)產(chǎn)SiC晶圓產(chǎn)線。

在Sic(碳化硅)晶圓的生產(chǎn)過程中，由于易受外來物、灰塵粒子、金屬離子等外來物的影響而破壞表面結(jié)構(gòu)從而影響良率，客戶往往對生產(chǎn)環(huán)境的溫度、濕度、潔凈度、防微振等均有著嚴(yán)格的控制要求。

自2000年以來，BOTH 一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要服務(wù)提供商之一，我們?yōu)閲鴥?nèi)最大、最成熟的半導(dǎo)體制造商提供潔凈室及其他關(guān)鍵系統(tǒng)的集成解決方案。

依托技術(shù)創(chuàng)新、項(xiàng)目執(zhí)行、管理經(jīng)驗(yàn)以及卓越業(yè)績記錄，讓我們能夠滿足客戶最嚴(yán)格的要求，實(shí)現(xiàn)Sic(碳化硅)晶圓制造環(huán)境的精準(zhǔn)控制與持續(xù)穩(wěn)定，確保晶圓最高的性能和良率，無論是建造新晶圓廠還是現(xiàn)有產(chǎn)能升級。

未來，BOTH將把技術(shù)知識和經(jīng)驗(yàn)帶到服務(wù)中，不斷為客戶解決復(fù)雜和挑戰(zhàn)性問題，完美交付安全、可靠運(yùn)行的高科技設(shè)施，支持客戶使命，助力Sic從襯底、外延、器件到模塊封裝各個(gè)環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)良率提升、產(chǎn)能擴(kuò)大、產(chǎn)線穩(wěn)定，推動(dòng)Sic產(chǎn)業(yè)持續(xù)向好發(fā)展。